Новость SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1

SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1, созданных на базе
321-слойных ячеек 3D NAND — самых высоких в мире.
В терминологии компании эта технология называется 4D NAND.
Модули предназначены для встроенных накопителей в мобильных устройствах.
В компании подчеркнули, что рост требований к производительности и энергоэффективности памяти обусловлен всё более активным внедрением
ИИ-систем в смартфоны.
Новый стандарт UFS 4.1, оптимизированный под такие нагрузки, должен помочь SK hynix укрепить позиции на
флагманском рынке.
По сравнению с предыдущей версией на базе 238-слойных чипов, новые модули обеспечивают:
• +7% энергоэффективности
• Уменьшенную толщину: с 1 мм до 0,85 мм
• Максимальную скорость последовательного чтения: до 4300 МБ/с — рекорд для UFS 4.х
• Увеличение скорости случайных операций: чтение +15%, запись +40%
Эти характеристики делают новые модули особенно актуальными для сверхтонких и высокопроизводительных смартфонов.
Массовое производство стартует в
I квартале следующего года.
Модули будут доступны в конфигурациях:
• 512 ГБ
• 1 ТБ