SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1, созданных на базе 321-слойных ячеек 3D NAND — самых высоких в мире. В терминологии компании эта технология называется 4D NAND. Модули предназначены для встроенных накопителей в мобильных устройствах. В компании подчеркнули, что рост требований к производительности и энергоэффективности памяти обусловлен всё более активным внедрением ИИ-систем в смартфоны. Новый стандарт UFS 4.1, оптимизированный под такие нагрузки, должен помочь SK hynix укрепить позиции на флагманском рынке. По сравнению с предыдущей версией на базе 238-слойных чипов, новые модули обеспечивают: • +7% энергоэффективности • Уменьшенную толщину: с 1 мм до 0,85 мм • Максимальную скорость последовательного чтения: до 4300 МБ/с — рекорд для UFS 4.х • Увеличение скорости случайных операций: чтение +15%, запись +40% Эти характеристики делают новые модули особенно актуальными для сверхтонких и высокопроизводительных смартфонов. Массовое производство стартует в I квартале следующего года. Модули будут доступны в конфигурациях: • 512 ГБ • 1 ТБ