Новость Exynos 2600 получит встроенный радиатор и память на кристалле

Exynos 2600 уже на стадии прототипа. Чип построен на 2-нм GAA техпроцессе Samsung и получит технологию Heat Pass Block (HPB) по сути, встроенный радиатор для эффективного теплоотвода.
Это должно решить проблему перегрева, характерную для прошлых моделей Exynos.
Также Samsung применит упаковку FOWLP, впервые использованную в Exynos 2400.
Она улучшит теплостойкость и многоядерную производительность.
Архитектура изменится: DRAM и HPB теперь будут располагаться прямо на SoC.
Частота топового ядра 3,55 ГГц, что пока чуть ниже, чем у конкурентов (например, Dimensity 9400+).
Ожидается, что Exynos 2600 представят в конце 2025 года, перед релизом Galaxy S26.
Успех будет зависеть от выхода годных чипов на 2-нм техпроцессе если Samsung справится, у Qualcomm и MediaTek появится серьёзный конкурент.